SK Hynix vừa tiết lộ lộ trình công nghệ thế hệ tiếp theo, liệt kê các dòng chip nhớ HBM5, GDDR7-next, DDR6 và NAND 4D 400+ lớp sẽ được phát triển sau năm 2029. Tại Hội nghị Thượng đỉnh AI SK 2025 (SK AI Summit 2025), SK Hynix đã công bố lộ trình sản phẩm bộ nhớ DRAM và NAND flash thế hệ tiếp theo, đồng thời thảo luận về một số công nghệ mới như HBM tùy chỉnh (custom HBM), HBF (High-Bandwidth Flash) và các sản phẩm tối ưu hóa cho AI. Những công bố này cho thấy cái nhìn rõ ràng về tương lai của ngành công nghiệp bộ nhớ, nơi AI sẽ là động lực chính thúc đẩy sự đổi mới.
Tương lai gần (2026-2028): HBM4 tùy chỉnh và các giải pháp AI-D
Bắt đầu với lộ trình, SK Hynix chia thành hai khung thời gian: thứ nhất là từ 2026 đến 2028, và thứ hai là từ 2029 đến 2031. Trong giai đoạn 2026-2028, công ty đang lên kế hoạch cho các sản phẩm HBM4 16-Hi và HBM4E 8/12/16-Hi, cùng với giải pháp HBM tùy chỉnh của họ.
Giải pháp HBM tùy chỉnh về cơ bản sẽ chuyển bộ điều khiển HBM (HBM controller) sang Khuôn Cơ sở HBM (HBM Base Die). Các thành phần sở hữu trí tuệ (IP) khác, như giao thức, cũng được chuyển vào HBM Base Die. Điều này cho phép các nhà sản xuất GPU/ASIC tăng diện tích silicon tính toán và đồng thời giảm tiêu thụ điện năng giao diện. SK Hynix sẽ hợp tác với TSMC để phát triển giải pháp HBM tùy chỉnh và khuôn cơ sở này.
Bên cạnh đó, SK Hynix cũng sẽ tung ra một loạt các giải pháp DRAM thông thường như LPDDR6, và các giải pháp DRAM tập trung vào AI, được gọi là “AI-D”, bao gồm LPDDR5X SOCAMM2, MRDIMM Gen2, LPDDR5R, và CXL LPDDR6-PIM Thế hệ 2. Đối với NAND, các giải pháp tiêu chuẩn sẽ bao gồm PCIe Gen5 eSSD với dung lượng QLC lên tới 245 TB+, PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0, và các giải pháp NAND tập trung vào AI, gọi là “AI-N”.
SK Hynix giải thích rằng, trong trong khi các giải pháp bộ nhớ từ trước đến nay tập trung vào tính toán chung, trong tương lai, chúng sẽ tiến hóa để đa dạng hóa và mở rộng vai trò của bộ nhớ – cho phép sử dụng tài nguyên tính toán hiệu quả hơn và giải quyết các nút thắt cổ chai suy luận AI một cách cấu trúc. Các giải pháp bộ nhớ mới bao gồm Custom HBM, AI DRAM (AI-D), và AI NAND (AI-N).
Cụ thể, AI-D được phân khúc thêm: “AI-D O” (Tối ưu hóa) là DRAM công suất thấp, hiệu suất cao giúp giảm tổng chi phí sở hữu; “AI-D B” (Đột phá) giải quyết Memory Wall bằng bộ nhớ siêu dung lượng; và “AI-D E” (Mở rộng) kéo dài ứng dụng DRAM sang robot, di động và tự động hóa công nghiệp.
Tương lai xa (2029-2031): HBM5, DDR6 và NAND 400+ lớp
Chuyển sang khung thời gian 2029-2031, SK Hynix sẽ bắt đầu phát triển giải pháp HBM5, HBM5E thế hệ tiếp theo và các giải pháp HBM5 tùy chỉnh tương ứng. Về mảng DRAM, SK Hynix sẽ cung cấp các sản phẩm GDDR7-next và DDR6 cùng với DRAM 3D.
Sự xuất hiện của GDDR7-next khá thú vị, vì điều này có nghĩa là sẽ mất một thời gian nữa chúng ta mới thấy bất cứ thứ gì vượt qua GDDR7 cho các card đồ họa rời thông thường. Thế hệ GDDR7 đầu tiên hiện bị giới hạn ở tốc độ 30-32 Gbps, và tiêu chuẩn tối đa là 48 Gbps. Chúng ta không hy vọng tiêu chuẩn này được sử dụng hết tiềm năng cho đến ít nhất là 2027-2028, vì vậy lộ trình phát triển tiếp theo là phù hợp.
Việc DDR6 được định vị cho giai đoạn 2029-2031 cũng cho thấy rằng sẽ mất vài năm nữa chúng ta mới thấy bất cứ thứ gì vượt qua DDR5 cho các PC desktop và laptop thông thường. Về các sản phẩm NAND trong tương lai, SK Hynix đang lên kế hoạch cho NAND 4D với hơn 400 lớp và các giải pháp HBF (“High-Bandwidth Flash” – Bộ nhớ Flash Băng thông Cao). HBF được cho là sẽ giải quyết các yêu cầu suy luận AI cho các PC thế hệ tiếp theo.
Có thể thấy, hầu hết các thông báo của SK Hynix đều đang nhìn về tương lai rất xa. Những công nghệ này còn cách chúng ta khoảng 3-4 năm nữa. Tuy nhiên, sự rõ ràng trong lộ trình phát triển này cho thấy ngành công nghiệp đang dồn lực mạnh mẽ để chuẩn bị cho kỷ nguyên AI toàn diện.