Samsung công bố chip nhớ V-NAND 900 lớp, áp sát mốc 1000 lớp cho SSD
Samsung công bố nguyên mẫu V-NAND 900 lớp đầu tiên bằng công nghệ Cell Multi-Bonding, đẩy cuộc đua NAND mật độ cao tiến sát ngưỡng 1.000 lớp.
SK Hynix
Samsung thách thức SK Hynix trong cuộc chiến chip nhớ AI HBM4
Samsung Electronics đã chính thức bước vào năm 2026 với một động lực hoàn toàn mới trên thị trường bộ nhớ toàn cầu, phát đi những tín hiệu mạnh mẽ về sự gia tăng niềm tin từ phía khách hàng đối với công nghệ bộ nhớ băng thông cao thế …
SanDisk và SK Hynix hợp tác phát triển High Bandwidth Flash
SanDisk vừa công bố bước tiến lớn trong ngành bộ nhớ khi bắt tay cùng SK hynix để hiện thực hóa công nghệ High Bandwidth Flash (HBF). Đây là giải pháp hứa hẹn mang lại dung lượng bộ nhớ vượt trội cho GPU AI, với khả năng cao gấp 8–16 …
SK Hynix ra mắt module GDDR7 3GB, mở đường cho RTX 50 Super tăng VRAM
Tin đồn về việc Nvidia sẽ nâng cấp VRAM cho dòng RTX 50 Super đã xuất hiện ngay sau khi phiên bản chuẩn ra mắt với mức dung lượng bộ nhớ bị chỉ trích. Mặc dù Nvidia chưa chính thức lên tiếng, thông báo mới nhất từ SK Hynix cho …